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Descripción

Interfaz

PCI

Express 4.0x4, NVMe 1.3

Factor de forma

M.2 2280

Capacidad total

500 GB

NAND

3D TLC Toshiba BiCS4

Caché DDR externo

DDR4 512 MB

Velocidad de lectura secuencial

Hasta 5000 MB / s

Hasta 5600 MB / s

Velocidad de escritura secuencial

Hasta 2500 MB / s

IOPS de lectura aleatoria

hasta 400k

IOPS de escritura aleatoria

hasta 550k

Dimensión

80,5 x 11,25 x 23,5 mm

Tiempo medio entre fallos (MTBF)

1,77 millones de horas

Consumo de energía (activo)

Promedio: R: 5,9 W; W: 4,5 W

Consumo de energía (inactivo)

13,21 mW

Temperatura (en funcionamiento)

0 ° C hasta 70 ° C

Temperatura (almacenamiento)

40 ° C hasta 85 ° C